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微調(diào)機(jī)
一、設(shè)備簡(jiǎn)介
本設(shè)備是為了調(diào)整晶體諧振器的頻率而開發(fā)，由上下料（上下料自帶電清洗功能）、準(zhǔn)備室和處理室兩個(gè)艙室構(gòu)成，采用單側(cè)進(jìn)單側(cè)出的方式。搭載晶體的載盤在大氣側(cè)經(jīng)過電清洗后設(shè)置到規(guī)定位置后，在準(zhǔn)備室進(jìn)行真空排氣，運(yùn)送到處理室，在處理室用離子槍產(chǎn)生的氬Ar離子蝕刻金屬電極膜。同時(shí)用網(wǎng)絡(luò)分析儀計(jì)測(cè)和控制經(jīng)過蝕刻后頻率的變化調(diào)整到目標(biāo)頻率。頻率調(diào)整結(jié)束后的載盤被搬送到準(zhǔn)備室，和待處理的載盤調(diào)換后被搬運(yùn)到兩艙室外運(yùn)送回提籃。
二、設(shè)備特點(diǎn)
1. 處理室不開放大氣而更換載盤，因此可以連續(xù)運(yùn)行離子槍，延長了保養(yǎng)周期
2. 離子槍具有24個(gè)離子束，可同時(shí)處理24顆晶體
3. 測(cè)量系統(tǒng)配備了4臺(tái)網(wǎng)絡(luò)分析儀，每臺(tái)可切換6個(gè)晶體進(jìn)行頻率控制
4. 真空排氣系統(tǒng)配備分子泵
5. 可測(cè)量范圍：4MHZ~200MHZ
6. 調(diào)整范圍：10MHZ~80MHZ
7. 調(diào)整精度：±3ppm達(dá)到99%以上（在晶體性能良好的情況下）
8. 目前設(shè)備能做振蕩器與諧振器，最小可做TCXO1210
三、設(shè)備參數(shù)(通用型)
| 設(shè)備參數(shù) | ||||||
| 項(xiàng)目 | 單位 | 參數(shù) | ||||
| 效率 | 秒/顆 | 約0.5S/顆 | ||||
| 整機(jī)尺寸長寬高（長x寬x高） | mm | 2060mmX1300mmX1680mm（不含三色燈） | ||||
| 整機(jī)重量（約） | kg | 1200 | ||||
| 電源要求 | AC380V 50/60Hz 5KW | |||||
| 壓縮空氣要求 | 0.55-0.65 Mpa 潔凈空氣 | |||||
| 氮?dú)庖?/span> | 0.10-0.25 Mpa | |||||
| 氬氣要求 | 0.05-0.15 Mpa | |||||
| 供水要求 | 要求純水 | |||||
測(cè)試機(jī)構(gòu)
上下料測(cè)試機(jī)構(gòu)
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